姓名：陈志君

性别：男

职称：

职务：

学历：博士

邮箱：7878446@qq.com

个人履历：

2002年毕业于武汉理工大学材料学院，获材料学学士和硕士学位；2005年毕业于中国科学院上海微系统与信息技术研究所获微电子学博士学位，是硅锗晶圆离子注入技术的发明人。2005年起在功能材料和电子信息领域从事投资管理工作，先后参与多个科技项目成果转化，曾任职上市公司高管；2025年起在科技大学任职，专注于新技术的产业化应用。

研究方向：

半导体器件与设备研发；新能源载具新型换电体系的研究与市场化应用；动力电池BMS的云端监测服务平台开发；基于DeepSeek等大模型的智慧化多行业服务平台的研发与市场化。

发表主要论著：

1.Zhijun Chen,Feng Zhang, Relaxed Silicon-Germanium-on-Insulator fabricated by oxygen implantation and oxidation-enhanced annealing, Semiconductor Science and Technology,2005/20:770-774/5

2.陈志君, 张峰, 王永进, 金波, 陈静, 张正选, 王曦.氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗，功能材料与器件学报[J].2006,12(1):1-4

3. Z.J.Chen,F. Zhang, Z X.Zhang, Ge Condensation characterization of SiGe-on-insulator structure fabricated by separation of oxygen implantation, IEEE Intemational Conference On Solid-State And Integrated Circuits Technology Proceedings(ICSICT) 2004:2187~2190

4. Xinli Cheng,Zhijun Chen, Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation，June 2005, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 234(3):243-248